SCT055W65G3-4AG Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	SCT055W65G3-4AG
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	STMicroelectronics
Описание：	TO247-4
Упаковка：
Упаковка：	Трубка
Количество：	1200
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

SCT055W65G3-4AG

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

STMicroelectronics

Описание：

TO247-4

Упаковка：

Трубка

Количество：

1200

Состояние RoHS：

YES

Продукты параметры

Описание продукции

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	STMicroelectronics
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-247-4
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	-55°C ~ 200°C (TJ)
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	72mOhm @ 15A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс.)	210W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 1mA
Пакет устройств поставщика	TO-247-4
Оценка	Automotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	15V, 18V
ВГС (Макс)	+18V, -5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	32 nC @ 18 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	721 pF @ 40 V
Квалификация	AEC-Q101

Альтернативная модель

                                          SCT055W65G3-4AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package                                      