SCT012H90G3AG Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_CHONGMING GROUP(HK)_Микросхема флэш памяти IC_Программируемый чип IC_Компьютерный чип IC_LED - привод IC_Управление питанием IC_Чип ИС

Номер запчастей：	SCT012H90G3AG
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	STMicroelectronics
Описание：	H2PAK-7
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	1200
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

SCT012H90G3AG

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

STMicroelectronics

Описание：

H2PAK-7

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

1200

Состояние RoHS：

YES

Продукты параметры

Описание продукции

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	STMicroelectronics
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	110A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	15.8mOhm @ 60A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс.)	625W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 10mA
Пакет устройств поставщика	H2PAK-7
Оценка	Automotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	15V, 18V
ВГС (Макс)	+18V, -5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	900 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	138 nC @ 18 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3880 pF @ 600 V
Квалификация	AEC-Q101

Альтернативная модель

                                          SCT012H90G3AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package                                      